薄膜太陽能電池是一種利用薄膜技術制造的太陽能電池，具有成本低、厚度薄、重量輕、柔性和可彎曲等優點。通常使用半導體材料如銅銦鎵硒（CIGS）、碲化鎘（CdTe）、非晶體硅、砷化鎵（GaAs）等制成，這些材料具有較高的光電轉換效率，能夠在較低光照條件下產生電能。
薄膜太陽電池可以使用在價格低廉的玻璃、塑膠、陶瓷、石墨、金屬片等不同材料當基板來制造，形成可產生電壓的薄膜厚度僅需數μm，因此在同一受光面積之下可較硅晶圓太陽能電池大幅減少原料的用量（厚度可低于硅晶圓太陽能電池90%以上），目前轉換效率最高可達13%，薄膜太陽電池不僅適用于平面結構，因為其可撓性還可制作成非平面構造，具有廣泛的應用前景，可與建筑物結合或是成為建筑體的一部份。
薄膜太陽電池產品應用：
半透明式的太陽能電池模組：建筑整合式太陽能應用(BIPV)
薄膜太陽能之應用：隨身折疊式充電電源、軍事、旅行
薄膜太陽能模組之應用：屋頂、建筑整合式、遠端電力供應、國防
薄膜太陽能電池的特色：
1.相同遮蔽面積下功率損失較小(弱光情況下的發電性佳)
2.照度相同下損失的功率較晶圓太陽能電池少
3.有較佳的功率溫度係數
4.較佳的光傳輸
5.較高的累積發電量
6.只需少量的硅原料
7.沒有內部電路短路問題(連線已經在串聯電池制造時內建)
8.厚度較晶圓太陽能電池薄
9.材料供應無慮
10.可與建材整合性運用(BIPV)
太陽能電池厚度比較：
晶硅(200～350μm)、非晶性薄膜(0.5μm)
薄膜太陽能電池的種類：
非晶硅(Amorphus Silicon, a-Si)、微晶硅(Nanocrystalline Silicon，nc-Si，Microcrystalline Silicon，mc-Si)、化合物半導體II-IV 族[CdS、CdTe(碲化鎘)、CuInSe2]、色素敏化染料(Dye-Sensitized Solar Cell)、有機導電高分子(Organic/polymer solar cells) 、CIGS (銅銦硒化物)..等
薄膜太陽能模組結構圖:
薄膜太陽能模組是由玻璃基板、金屬層、透明導電層、電器功能盒、膠合材料、半導體層..等所構成的。
薄膜太陽能電池可靠度試驗規范：
IEC61646(薄膜太陽光電模組測試標準)、CNS15115(薄膜硅陸上太陽光電模組設計確認和型式認可)
Lab Companion高低溫濕熱試驗箱
高低溫濕熱試驗設備系列產品，通過CE認證，配置34L、64L、100L、180L、340L、600L、1000L、1500L等容積型號，滿足不同客戶的需求。在設計方面采用環保制冷劑和高性能制冷系統，零部件均采用國際知名品牌。
薄膜太陽能電池專有名詞整理：
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英文名稱
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中文名稱
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說明
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A-Si Amorphus Silicon
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非晶硅
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利用濺鍍或是化學氣相沉積方式在玻璃或金屬基板上生成薄膜的薄膜太陽能生產方式。
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BIPV Building-integrated photovoltaic
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一體型太陽能電池模板
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BIPV是結合太陽能發電與建筑物外牆兩項功能，將太陽電池模組(module)或陣列(array)整合、設計并裝置在建筑物上的雙用途產品。
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CdTe Cadmium telluride
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碲化鎘
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CdTe屬于化合物半導體，電池轉換效率不差，若使用耐高溫(約600℃)的硼玻璃作為基板轉換效率可達16%，而使用不耐高溫但是成本較低的鈉玻璃做基板也可達到12%的轉換效率，轉換效率遠優于非晶硅材料。
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CEI 904
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具光譜照射光參考數據之太陽原件量測原理，等同IEC 904
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CIS Copper Indium Diselenide
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硒化銦銅
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屬于化合物半導體，這樣的材料吸光范圍廣穩定性好，若是用聚光裝置輔助，轉換效率可達30%，標準環境測試下最高也可達到19.5%，模組的話，可達約13%。
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CIGS Copper Indium Gallium Diselenide
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銅銦鎵硒
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屬于化合物半導體，這樣的材料吸光范圍廣穩定性好，若是用聚光裝置輔助，轉換效率可達30%，標準環境測試下最高也可達到19.5%，模組的話，可達約13%。
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Dye-Sensitized Solar Cell
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色素敏化染料
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GaAs Multijuction
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多接面砷化鎵
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Nc-Si Nanocrystalline Silicon
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微晶硅
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是非晶硅的改良材料，其結構介于非晶硅和晶體硅之間，主要是在非晶體結構中具有微小的晶體粒子，因此同時具有非晶硅容易薄膜化，製程便宜的特性，以及晶體硅吸收光譜廣，且不易出現光劣化效應的優點，轉換效率也較高。
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NOCT Nominal Operating Cell Temperature
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標準操作電池溫度
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在標準參考環境(SRE)下，開架式安裝模組之太陽能電池之平衡平均接面溫度。
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Mc-Si(Microcrystalline Silicon)
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微晶硅
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是非晶硅的改良材料，其結構介于非晶硅和晶體硅之間，主要是在非晶體結構中具有微小的晶體粒子，因此同時具有非晶硅容易薄膜化，製程便宜的特性，以及晶體硅吸收光譜廣，且不易出現光劣化效應的優點，轉換效率也較高。
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PECVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
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電漿體增強化學氣相沉積
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在二個電極板間外加一個射頻電壓，于是在二個電極之間的氣體會解離而產生電漿，使用電漿的輔助能量，使得沉積反應的溫度得以降低。
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Polymer solar cells
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有機導電高分子
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Sputtering
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真空濺鍍
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SRE
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標準參考環境
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傾斜角度(與水平成45度)、總照射度(800Wm^-2)、周圍溫度(20℃)、風速(1ms^-1)、電力負載(無開路)。
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STC
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標準測試條件
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電池溫度(25℃)、照射度(1000Wm^-2)符合規范CEI 904-3所要求之參考太陽能光譜之照射分佈。
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Thin-film Photovoltaic
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薄膜太陽能電池
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